Microchip Technology - DN2470K4-G

KEY Part #: K6419573

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microchip Technology DN2470K4-G electronic components. DN2470K4-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2470K4-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : DN2470K4-G

Истеҳсолкунанда : Microchip Technology

Тавсифи : MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 700V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 170mA (Tj)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 Ohm @ 100mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : ±20V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V

Хусусияти FET : Depletion Mode

Тақсимоти барқ (Макс) : 2.5W (Ta)

Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-252, (D-Pak)

Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

IRLR3110ZTRLPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.
IRLR3110ZTRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.
AUIRFR2905ZTRL

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3.
TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3.
IRFR4104TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

Қисмҳои гарм