Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
55V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
42nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
79W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-Pak
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63