Рақами Қисм :
SIR838DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
50nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2075pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SO-8