IXYS - IXTP20N65X

KEY Part #: K6394700

IXTP20N65X Нархгузорӣ (доллари ИМА) [17174дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$3.28321
  • 10 pcs$2.93286
  • 100 pcs$2.40494
  • 500 pcs$1.94742
  • 1,000 pcs$1.64240

Рақами Қисм:
IXTP20N65X
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Zener - Ягона and Тиристорҳо - TRIACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXTP20N65X electronic components. IXTP20N65X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP20N65X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP20N65X Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXTP20N65X
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1390pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 320W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-220
Бастаи / Парвандаи : TO-220-3