Рақами Қисм :
TPN1110ENH,L1Q
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
7nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
700mW (Ta), 39W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN