Рақами Қисм :
PHT4NQ10LT,135
Истеҳсолкунанда :
NXP USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.75A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
12.2nC @ 5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
374pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
6.9W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-223
Бастаи / Парвандаи :
TO-261-4, TO-261AA