Microsemi Corporation - APT50GF60JU2

KEY Part #: K6532570

APT50GF60JU2 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [4027дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$10.75783
  • 10 pcs$9.94890

Рақами Қисм:
APT50GF60JU2
Истеҳсолкунанда:
Microsemi Corporation
Тавсифи муфассал:
IGBT 600V 75A 277W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Microsemi Corporation APT50GF60JU2 electronic components. APT50GF60JU2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GF60JU2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GF60JU2 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : APT50GF60JU2
Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation
Тавсифи : IGBT 600V 75A 277W SOT227
Серияхо : -
Статуси Қисми : Obsolete
Намуди IGBT : NPT
Танзимот : Single
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 600V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Ҳокимият - Макс : 277W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 50A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 40µA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 2.25nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : -
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : ISOTOP
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-227

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.