Рақами Қисм :
NTMFS5H615NLT1G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
T8 60V LOW COSS
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
28A (Ta), 185A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
63nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4860pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.2W (Ta), 139W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN, 5 Leads