Рақами Қисм :
NSM21356DW6T1G
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Навъи транзистор :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V, 65V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
47 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
47 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
500nA
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SC-88/SC70-6/SOT-363