GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-263

KEY Part #: K6399928

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Тиристорҳо - TRIACs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 electronic components. GA05JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : GA05JT12-263

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : TRANS SJT 1200V 15A

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 1200V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 106W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : 175°C (TJ)

Навъи монтаж : Surface Mount

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D2PAK (7-Lead)

Бастаи / Парвандаи : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед