Рақами Қисм :
SI9926CDY-T1-E3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
33nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO