Рақами Қисм :
GB01SLT12-220
Истеҳсолкунанда :
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
Навъи диод :
Silicon Carbide Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
1200V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.8V @ 1A
Суръат :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
0ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
2µA @ 1200V
Иқтидори @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-2
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AC
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 175°C