Vishay Siliconix - SQ3456BEV-T1_GE3

KEY Part #: K6417693

SQ3456BEV-T1_GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [344842дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.10726
  • 3,000 pcs$0.09710

Рақами Қисм:
SQ3456BEV-T1_GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - SCRs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3456BEV-T1_GE3 electronic components. SQ3456BEV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3456BEV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3456BEV-T1_GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SQ3456BEV-T1_GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 15V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 4W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 6-TSOP
Бастаи / Парвандаи : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед