Infineon Technologies - FF50R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532659

FF50R12RT4HOSA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1939дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$22.33106

Рақами Қисм:
FF50R12RT4HOSA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
IGBT MODULE 1200V 50A.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Модулҳои драйвери барқ and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies FF50R12RT4HOSA1 electronic components. FF50R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF50R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF50R12RT4HOSA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FF50R12RT4HOSA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : IGBT MODULE 1200V 50A
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : Trench Field Stop
Танзимот : Half Bridge
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 50A
Ҳокимият - Макс : 285W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 2.8nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : No
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Module

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.