Рақами Қисм :
IPP80R1K2P7XKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
800V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
11nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 500V
Тақсимоти барқ (Макс) :
37W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO220-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3