Истеҳсолкунанда :
STMicroelectronics
Тавсифи :
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Серияхо :
DeepGATE™, STripFET™ H6
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
639pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.6W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-6
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6