Рақами Қисм :
SI1424EDH-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18nC @ 8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-363
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363