Рақами Қисм :
TH58NVG3S0HBAI6
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Memory America, Inc.
Тавсифи :
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V
Намуди хотира :
Non-Volatile
Технология :
FLASH - NAND (SLC)
Андозаи хотира :
8Gb (1G x 8)
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
25ns
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
67-VFBGA (6.5x8)