Рақами Қисм :
GSID100A120T2P2
Истеҳсолкунанда :
Global Power Technologies Group
Тавсифи :
SILICON IGBT MODULES
Танзимот :
Three Phase Inverter
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
200A
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Ворид :
Three Phase Bridge Rectifier
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи :
Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
Module