Рақами Қисм :
SI3473CDV-T1-E3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
65nC @ 8V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2010pF @ 6V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-TSOP
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6