Истеҳсолкунанда :
Microchip Technology
Тавсифи :
MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
160mA (Tj)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
360mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-236AB (SOT23)
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3