Vishay Siliconix - SI7898DP-T1-GE3

KEY Part #: K6419194

SI7898DP-T1-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [96552дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.80693
  • 10 pcs$0.72958
  • 100 pcs$0.58622
  • 500 pcs$0.45595
  • 1,000 pcs$0.37778

Рақами Қисм:
SI7898DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - ягона and Тиристорҳо - DIACs, SIDACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SI7898DP-T1-GE3 electronic components. SI7898DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7898DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7898DP-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SI7898DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Серияхо : TrenchFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1.9W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® SO-8

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед