Infineon Technologies - IPB090N06N3GATMA1

KEY Part #: K6420311

IPB090N06N3GATMA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [181372дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.20393

Рақами Қисм:
IPB090N06N3GATMA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IPB090N06N3GATMA1 electronic components. IPB090N06N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB090N06N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB090N06N3GATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IPB090N06N3GATMA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Серияхо : OptiMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 34µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 30V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 71W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D²PAK (TO-263AB)
Бастаи / Парвандаи : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед