Рақами Қисм :
PMN27UN,135
Истеҳсолкунанда :
NXP USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.75W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-TSOP
Бастаи / Парвандаи :
SC-74, SOT-457