[3155дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- JAN1N6640US
- Истеҳсолкунанда:
- Microsemi Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона and Транзисторҳо - JFETs ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6640US electronic components. JAN1N6640US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6640US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N6640US Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
JAN1N6640US
Истеҳсолкунанда :
Microsemi Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Серияхо :
Military, MIL-PRF-19500/609
Статуси Қисми :
Discontinued at Digi-Key
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
50V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
300mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1V @ 300mA
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
4ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
100nA @ 50V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SQ-MELF, B
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
D-5B
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
Қисмҳои гарм
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G