Infineon Technologies - FP50R12KT4B11BOSA1

KEY Part #: K6533260

FP50R12KT4B11BOSA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [874дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$53.08604

Рақами Қисм:
FP50R12KT4B11BOSA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
IGBT MODULE 1200V 50A.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies FP50R12KT4B11BOSA1 electronic components. FP50R12KT4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP50R12KT4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP50R12KT4B11BOSA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FP50R12KT4B11BOSA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : IGBT MODULE 1200V 50A
Серияхо : *
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : Trench Field Stop
Танзимот : Three Phase Inverter
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 50A
Ҳокимият - Макс : 280W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 2.8nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : Yes
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Module

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.