Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 60V TO92
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
-
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
400mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-92-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)