Global Power Technologies Group - GP1M008A080H

KEY Part #: K6402618

[2642дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    GP1M008A080H
    Истеҳсолкунанда:
    Global Power Technologies Group
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Диодҳо - Zener - Ягона and Транзисторҳо - JFETs ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M008A080H electronic components. GP1M008A080H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M008A080H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M008A080H Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : GP1M008A080H
    Истеҳсолкунанда : Global Power Technologies Group
    Тавсифи : MOSFET N-CH 800V 8A TO220
    Серияхо : -
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 800V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 46nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1921pF @ 25V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 250W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Through Hole
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-220
    Бастаи / Парвандаи : TO-220-3

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.