Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Ta), 58A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1330pF @ 20V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3