Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ
  4. Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF
  5. BLA6H0912LS-1000U

Ampleon USA Inc. - BLA6H0912LS-1000U

KEY Part #: K6466422

BLA6H0912LS-1000U Нархгузорӣ (доллари ИМА) [106дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$437.74980
Рақами Қисм:
BLA6H0912LS-1000U
Истеҳсолкунанда:
Ampleon USA Inc.
Тавсифи муфассал:
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLA6H0912LS-1000U electronic components. BLA6H0912LS-1000U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLA6H0912LS-1000U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLA6H0912LS-1000U Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : BLA6H0912LS-1000U
Истеҳсолкунанда : Ampleon USA Inc.
Тавсифи : RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
Серияхо : -
Статуси Қисми : Not For New Designs
Навъи транзистор : LDMOS (Dual), Common Source
Фосила : 1.03GHz
Гейн : 15.5dB
Шиддат - Санҷиш : 50V
Рейтинги ҷорӣ : -
Тасвири ғавғо : -
Ҷорӣ - Санҷиш : 200mA
Ҳокимият - Натиҷа : 1000W
Шиддат - баҳо дода мешавад : 100V
Бастаи / Парвандаи : SOT539B
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT539B
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • 2SK3079ATE12LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSF RF N CH 10V PW-X.

  • 3SK293(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 800MHZ USQ.

  • 3SK294(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    FET RF 12.5V 500MHZ USQ.

  • 3SK291(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH SMQ.

  • 3SK292(TE85R,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ.

  • STAC3932F

    STMicroelectronics

    TRANS RF PWR N-CH STAC244F.

Қисмҳои гарм