CMH08(TE12L,Q,M) Нархгузорӣ (доллари ИМА) [366462дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.10093
- Рақами Қисм:
- CMH08(TE12L,Q,M)
- Истеҳсолкунанда:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Модулҳои драйвери барқ and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH08(TE12L,Q,M) electronic components. CMH08(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH08(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH08(TE12L,Q,M) Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
CMH08(TE12L,Q,M)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
400V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
2A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.3V @ 2A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
100ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 400V
Иқтидори @ Vr, F :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SOD-128
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
M-FLAT (2.4x3.8)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-40°C ~ 150°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Қисмҳои гарм
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A