Рақами Қисм :
PMDPB95XNE,115
Истеҳсолкунанда :
NXP USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Навъи FET :
2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
143pF @ 15V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-UDFN Exposed Pad
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DFN2020-6