Рақами Қисм :
IPP60R099C6XKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
37.9A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.21mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
119nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2660pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
278W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO220-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3