Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 15A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
48nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2300pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.5W (Ta), 56W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220AB
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3