Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
60nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
3130pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3.1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOIC
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)