Рақами Қисм :
SIHB12N60ET5-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
58nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
147W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-263 (D²Pak)
Бастаи / Парвандаи :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB