Microchip Technology - 2N7000-G

KEY Part #: K6407601

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Rectifiers - ягона and Диодҳо - RF ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microchip Technology 2N7000-G electronic components. 2N7000-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7000-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : 2N7000-G

Истеҳсолкунанда : Microchip Technology

Тавсифи : MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 60V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tj)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : ±30V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 1W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-92-3

Бастаи / Парвандаи : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

ZVN0124A

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.
ZVNL110ASTZ

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.
ZVN4206AVSTZ

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.
2N7000-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.
BS170_J35Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.
TK50P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3.