Microsemi Corporation - JANTXV1N6630

KEY Part #: K6446709

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - RF, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо and Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630 electronic components. JANTXV1N6630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : JANTXV1N6630

Истеҳсолкунанда : Microsemi Corporation

Тавсифи : DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Серияхо : Military, MIL-PRF-19500/590

Статуси Қисми : Active

Навъи диод : Standard

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 900V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 1.4A

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.4V @ 1.4A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : 50ns

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 2µA @ 900V

Иқтидори @ Vr, F : -

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи / Парвандаи : E, Axial

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : E-PAK

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -65°C ~ 150°C

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.
VS-80EPF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.
MBR1650HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.
SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.