Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Маҳсулоти нимноқилҳои дискретӣ
  4. Диодҳо - Rectifiers - ягона
  5. 1N1206AR

GeneSiC Semiconductor - 1N1206AR

KEY Part #: K6440122

1N1206AR Нархгузорӣ (доллари ИМА) [14126дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$1.85975
  • 10 pcs$1.65924
  • 25 pcs$1.49327
  • 100 pcs$1.36048
Рақами Қисм:
1N1206AR
Истеҳсолкунанда:
GeneSiC Semiconductor
Тавсифи муфассал:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - RF, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1206AR electronic components. 1N1206AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1206AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1206AR Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : 1N1206AR
Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor
Тавсифи : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи диод : Standard, Reverse Polarity
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) : 12A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.1V @ 12A
Суръат : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 10µA @ 50V
Иқтидори @ Vr, F : -
Навъи монтаж : Chassis, Stud Mount
Бастаи / Парвандаи : DO-203AA, DO-4, Stud
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DO-4
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -65°C ~ 200°C
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • SD101AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BAV19W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM

  • GSD2004W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO

  • GSD2004W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

Қисмҳои гарм