Рақами Қисм :
RQ3E180AJTB
Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 30A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 11mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
39nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4290pF @ 15V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2W (Ta), 30W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-HSMT (3.2x3)
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerVDFN