Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 45A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
43nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
4630pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
UltraSO-8™
Бастаи / Парвандаи :
3-PowerSMD, Flat Leads