ON Semiconductor - FDT86246L

KEY Part #: K6395928

FDT86246L Нархгузорӣ (доллари ИМА) [355134дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.10467
  • 4,000 pcs$0.10415

Рақами Қисм:
FDT86246L
Истеҳсолкунанда:
ON Semiconductor
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - RF, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in ON Semiconductor FDT86246L electronic components. FDT86246L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT86246L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT86246L Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : FDT86246L
Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
Тавсифи : MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
Серияхо : PowerTrench®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 228 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 335pF @ 75V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-223-4
Бастаи / Парвандаи : TO-261-4, TO-261AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед