Global Power Technologies Group - GSID080A120B1A5

KEY Part #: K6532552

GSID080A120B1A5 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1601дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$27.17478
  • 10 pcs$27.03958

Рақами Қисм:
GSID080A120B1A5
Истеҳсолкунанда:
Global Power Technologies Group
Тавсифи муфассал:
SILICON IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Тиристорҳо - SCRs, Диодҳо - Zener - Ягона and Диодҳо - Зенер - Массивҳо ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID080A120B1A5 electronic components. GSID080A120B1A5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID080A120B1A5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID080A120B1A5 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : GSID080A120B1A5
Истеҳсолкунанда : Global Power Technologies Group
Тавсифи : SILICON IGBT MODULES
Серияхо : Amp+™
Статуси Қисми : Active
Намуди IGBT : -
Танзимот : Single
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 1200V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 160A
Ҳокимият - Макс : 1710W
Vce (дар) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 80A
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 1mA
Иқтидори воридотӣ (Cies) @ Vce : 7nF @ 25V
Ворид : Standard
NTC Термистор : Yes
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 150°C
Навъи монтаж : Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи : Module
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Module

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.