Infineon Technologies - BSS119 E7796

KEY Part #: K6409950

[105дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    BSS119 E7796
    Истеҳсолкунанда:
    Infineon Technologies
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда and Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Infineon Technologies BSS119 E7796 electronic components. BSS119 E7796 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS119 E7796, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS119 E7796 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : BSS119 E7796
    Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
    Тавсифи : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
    Серияхо : SIPMOS®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 50µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.5nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 25V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 360mW (Ta)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SOT-23-3
    Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.