Рақами Қисм :
SPP06N60C3HKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 260µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
31nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
74W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO220-3-1
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3