Diodes Incorporated - DMTH10H010SCT

KEY Part #: K6393889

DMTH10H010SCT Нархгузорӣ (доллари ИМА) [68703дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.56912

Рақами Қисм:
DMTH10H010SCT
Истеҳсолкунанда:
Diodes Incorporated
Тавсифи муфассал:
MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - SCRs and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH10H010SCT electronic components. DMTH10H010SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH10H010SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H010SCT Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : DMTH10H010SCT
Истеҳсолкунанда : Diodes Incorporated
Тавсифи : MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 56.4nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 4468pF @ 50V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 187W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-220AB
Бастаи / Парвандаи : TO-220-3

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед