Toshiba Semiconductor and Storage - RN1112ACT(TPL3)

KEY Part #: K6527845

[2696дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    RN1112ACT(TPL3)
    Истеҳсолкунанда:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Тавсифи муфассал:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF and Транзисторҳо - Ҳадафи махсус ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT(TPL3) electronic components. RN1112ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1112ACT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1112ACT(TPL3) Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : RN1112ACT(TPL3)
    Истеҳсолкунанда : Toshiba Semiconductor and Storage
    Тавсифи : TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
    Серияхо : -
    Статуси Қисми : Active
    Навъи транзистор : NPN - Pre-Biased
    Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) : 80mA
    Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ : 50V
    Муқовимат - Пойгоҳи (R1) : 22 kOhms
    Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) : -
    DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
    Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
    Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) : 100nA (ICBO)
    Фосила - гузариш : -
    Ҳокимият - Макс : 100mW
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи / Парвандаи : SC-101, SOT-883
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : CST3

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед