Рақами Қисм :
SSM3J351R,LF
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
134 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15.1nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23F
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-3 Flat Leads