Рақами Қисм :
SIR873DP-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
Серияхо :
TrenchFET® Gen IV
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
37A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
48nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1805pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
104W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PowerPAK® SO-8
Бастаи / Парвандаи :
PowerPAK® SO-8