Рақами Қисм :
SIZ910DT-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
40nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 15V
Ҳокимият - Макс :
48W, 100W
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-PowerPair® (6x5)